创新差异化技术加持，盛美半导体展现七大板块完整产品线能量

拥有半导体前段技术创新与完整产品布局的盛美半导体，除了为先进晶圆封装应用提供完备解决方案外，全力深耕扇出型面板级封装市场。如今更打着「技术差异化」、「产品平台化」和「客户全球化」的战略大旗，成功布局从清洗设备到面板级封装设备等七大板块产品，为多个半导体关键制程步骤贡献心力。
 
盛美半导体于 1998 年在美国硅谷成立，并于 2017 年正式在美国纳斯达克（NASDAQ：ACMR）挂牌上市。盛美半导体透过各种自主专利技术的研发，展现「技术差异化」的坚强实力，并在「产品平台化」战略思维的引领下，成功将旗下创新产品扩大至清洗设备、电镀设备、先进封装湿法蚀刻设备、立式炉管设备、前段涂胶显影 Track 设备、等离子体增强化学气相沉积 PECVD 设备以及面板级封装设备等七大板块市场。根据 Gartner 数据，盛美半导体的清洗设备 2024 年在全球市场的占比达 8%，排名第四。其电镀设备全球市占率 8.2%，全球排名第三。
 
三大差异化创新点产品领军，强力布局FOPLP市场

在全球生成式 AI 与 AI 芯片热潮的带动下，先进封装成为今后半导体最炙手可热的发展主流，作为先进封装重要分支的扇出型面板级封装（FOPLP）被视为接棒 CoWoS 的明日之星。盛美半导体CEO王晖博士表示：“AI技术对芯片的要求越来越高，现有的半导体装备技术还远远不能满足这个需求。这给半导体设备及材料行业提出了新的挑战，同时也带来了巨大的发展机会。”
 
为了紧抓这样的趋势，盛美半导体在去年 SEMICON TAIWAN 2024 会场上便首次展示 Ultra C vac-p 面板级负压清洗设备与 Ultra ECP ap-p 面板级电镀设备，同时首次公开发布 Ultra C bev-p 面板级边缘蚀刻设备，作为积极进军扇出型面板级封装市场的三大差异化创新点产品，更是瞄准七大板块市场中的三大关键领域的代表作。
 
盛美 Ultra C vac-p 面板级负压清洗设备可处理 510 x 515mm 和 600 x 600mm 尺寸的面板以及高达 10mm 的面板翘曲。透过负压技术去除芯片结构中的助焊剂残留物，可使清洗液到达狭窄的缝隙，不论小凸块间距（小于40微米）或大尺寸芯片皆能展现一流的清洗效率，该设备已经在客户端实现量产。


盛美 Ultra C vac-p 面板级先进封装负压清洗设备（Source:盛美半导体）
 
针对面板级电镀需求，盛美 Ultra ECP ap-p 设备兼容有机基板和玻璃基板，适用形成重新布线层（RDL）的铜电镀、凸块电镀、大铜柱电镀，以及铜柱/镍/锡银合金凸块电镀。透过自主研发的全球独家水平式多阳级电镀技术，该设备因具有良好的均匀性（面内均匀性可以达到 5% 以内）和精度，有效减少电镀液之间的交叉污染，成为兼顾面板封装质量、效率与成本的最佳选择，实现晶圆级CoWoS工艺朝着面板式CoPoS的无缝转移。盛美 Ultra ECP ap-p 设备深获业界肯定，并于今年拿下美国 3D InCites 协会颁发的「Technology Enablement Award」大奖。


盛美 Ultra ECP ap-p 面板级先进封装电镀设备（Source:盛美半导体）
 
至于专为铜相关制程之边缘蚀刻和清洗需求设计的盛美 Ultra C bev-p 面板级边缘蚀刻设备，其最大特点莫过于能同时对长方形面板的正面与背面进行精准的边缘蚀刻，进而提升产品良率与可靠性。此外，该设备还能为翘曲 10mm 的面板进行边缘蚀刻。由于该产品采用了专为边缘蚀刻和铜、钛残留清除而设计的湿法蚀刻制程，因此能有效避免电气短路、降低污染风险，在保持后续制程步骤完整性的同时，更确保了组件的耐用度，堪称是应对方形面板基板之独特挑战的一大利器。
 

盛美Ultra C bev-p 面板级先进封装边缘湿法刻蚀设备（Source:盛美半导体）
 
打造 SAPS、TEBO、Tahoe 铁三角，无与伦比完整清洗产品线出击

随着 IC 微型化成为趋势，这股潮流也吹向了半导体清洗与电镀领域。为了呼应这股强劲的趋势洪潮，盛美半导体持续透过自主独特的先进清洗与电镀技术与创新产品，协助客户强化产线效能。
 
在强大创新与平台化策略的驱使下，盛美展现了半导体清洗界最完备的产品线布局以及最适化的解决方案，这一切皆植基于盛美全球首创的空间交变相位移（SAPS）及时序能激气穴震荡（TEBO）两项兆声波清洗技术，换言之，该公司之后以这两项技术为基础，陆续开发出各种系列的清洗设备。
 
2008 年，盛美半导体推出全球首创的高端单晶圆 SAPS 兆声波清洗设备，其在单片清洗制程的良率上，比市面上非兆声波清洗设备高出约 1%，再次显示该创新设备的清洗效率更胜传统超声波清洗制程，该技术自 2011 年起便获得全球大型 IC 制造客户 SK Hynix 采用，从35nm技术节点开始一直延续到先进的10nm技术节点。
 
至于 2016 年推出的全球首创 TEBO 兆声波清洗设备，适用于清洗 3D IC 内部结构线路的化学药剂与微小颗粒。盛美半导体并将该设备与今年 SEMICON CHINA 2025 上展出的超临界二氧化碳干燥设备，搭配组合成 3D 微结构清洗最佳方案。
 
最令业界瞩目的还有 Tahoe 单芯片槽式复合清洗设备，它具备整合槽式批次清洗与单芯片清洗的优势与高效，有效节省高达 75% 以上的硫酸用量。
 
盛美近期宣布（2025/7/31）对自家 Ultra C wb 湿法清洗设备进行重大升级。这是因为传统湿法清洗制程常具备高深宽比沟槽和通孔结构，易使得湿法蚀刻会出现均匀性差和副产物二次沉积等问题。为了有效解决这个沉痾宿疾，盛美透过升级，使 Ultra C wb 设备全面支持氮气（N2）鼓泡技术。该专利申请保护的N2 鼓泡技术可以同时实现超大气泡尺寸及空间分布密度的均匀性，可以预见的是，这项能提升化学药液传输效率，提高湿法刻蚀槽内温度、浓度和流速均匀性的新技术，尤其在 500 层以上的 3D NAND、3D DRAM、以及3D 逻辑组件中有巨大的应用前景。
 
目前盛美多样的清洗技术已涵盖95% 以上的半导体清洗制程环节，进而为逻辑、内存、功率组件等多种半导体制程提供最适化清洗方案。该公司并透过SAPS、TEBO、Tahoe三大差异化核心技术，为最完整清洗产品线构筑难以超越的技术壁垒与领先地位。
 
多元技术与产品的加乘，携客户高歌猛进半导体市场

盛美半导体成立以来致力铜互连技术的研发，是全球少数较早掌握水平式电镀核心技术专利并实际量产的厂商之一。盛美 ECP map 电镀设备是中国首台前段制程高端铜镶嵌互连电镀设备，亦为该公司七大板块设备中的明珠，并在前段双镶嵌制程、先进封装、3D TSV （硅通孔）以及第三代半导体应用领域均取得显著突破。
 
此外盛美半导体也在其七大目标板块之一的热制程设备、PECVD 设备及显影设备等领域积极布局。首先在热制程设备领域，盛美分别在 2022 年与 2024 年推出热原子层沉积和等离子体增强原子层沉积两种配置的 Ultra Fn A ALD 立式炉设备，两者皆获中国半导体客户的青睐。此外，极大改善滑移缺陷和提高制程效率的超高温氧化推阱炉管（1250°C），应用专利申请保护技术改善漏电率的高介电常数原子层沉积炉管已经处于实验室测试验证阶段，即将推向市场。
 
而就广泛运用于成熟薄膜沉积制程的 Ultra Pmax PECVD 设备来说，其配置了自主智财权的腔体、气体分配装置和晶圆承载座设计，能提供更好的薄膜均匀性，更小的薄膜应力及更优的颗粒控制及改善能力。
 
盛美半导体的 PECVD 设备制程腔体在吸取了当前主流各大供货商的优缺点进行了综合配置（一个腔体3个Chuck），具有更好的可调整性同时具有独立的 IP 保护。特别是在射频的配合及设计中融入了独特的独立控制系统结合相互联通的方式申请了核心专利实现了多晶圆沉积的稳定性及均匀性。截止到目前 TEOS 薄膜及 SiN 薄膜已经得到客户验证，在薄膜的厚度稳定性，均匀性及颗粒控制方面达到客户的Spec 要求。随着多制程的扩展，盛美的 PECVD 设备将实现单单客户突破，多制程开花的良好开局。
 
在显影设备领域，盛美推出专门应用在 300mm 晶圆制程的前段涂胶显影 Track 设备，堪称是协助客户降低缺陷率，提高产能，节约总体持有成本（COO）的最佳解决方案。该设备支持 300WPH （每小时300片晶圆）的氟化氪（KrF）深紫外光微影制程，设备采用自主研发的垂直交叉架构，更容易扩展到更高产能 400WPH 。公司自主开发的多分区高精度热板，具有卓越的温度均一性。该设备技术先进，能够降低产品缺陷率，提高产能，节约用户使用成本，支持主流曝光机接口，适用于 i-line、KrF、ArF和ArFi 等各种微影制程。
 
在「技术差异化」、「产品平台化」和「客户全球化」战略的贯彻下， 2024 年，盛美半导体的整体营业收入达到 7.82 亿美元，其中尤以单晶圆、Tahoe 与半关键清洗设备的营收最高，达到 5.79 亿美元，占整体营收的 74%；其次是营收达 1.51 亿美元的 ECP（前段封装）、炉管及其他科技，占比为 19.3%；至于非 ECP 先进封装、服务与配件的营收为 0.52 亿美元，占 6.7%。
 
因应半导体 IC、先进封装与晶圆制造，盛美半导体已有完备对应从前段制造到先进封装的七大板块多元技术与产品布局，携手半导体客户一同强化优势，迎接挑战并掌握商机。
 
SEMICON Taiwan 2025 国际半导体展
展会时间：2025 年 9 月 10-12 日
展会地点：台北南港展览馆 1 馆 4 楼
摊位号码：L0700
 
诚挚期待您的拨冗莅临。